【半导体行业热点】近期，宏光半导体接连发布两公告，向市场公布三大战略合作。2022年3月24日，宏光半导体（06908.HK）发布公告，与GUH Holdings Berhad（3247.KL）订立无法律约束力谅解备忘录，有意在将公司快充电池及氮化镓（GaN）器件产品销售扩展至马来西亚及东南亚，扩大收入来源。同时，与科通芯城集团(00400.HK)签订战略合作协议，意在打通国内芯片销售渠道。3月29日，公司再发公告称全资附属公司徐州金沙江半导体有限公司与GaN Systems Inc.(GaN Systems)于互联网数据中心电力基础设施成功进行首次公开GaN行业实地试验，实现为数据中心节省最高20%的能源消耗的重大突破。

战略布局动作接连不断，不难看出宏光半导体的成长路径有向精细化发展的趋势。从布局的策略来看，主要体现在两方面：一是大刀阔斧的打通国内外公司产品的销售渠道，意为提升产品知名度，扩大收入来源。二是通过战略投资控股及建立互利共赢的战略合作关系，来获得合作方在半导体上的专业技术支持及授权，从而间接提高公司产品自身的创新生产制造能力。近年来，全球市场对半导体生产的需求显著增长，而中国作为全球最大的半导体市场，对半导体企业自主创新的要求只会愈加严格。在此发展态势及环境中，宏光半导体看似精细化的布局又能否真正落地，实现延续公司的价值呢？

是“盲追风口”还是“行业黑马”？

对宏光半导体以及GaN领域了解的应该知道，宏光半导体是在2021年初通过一笔“敲门砖”的收购，实现了对国内从事第三代半导体GaN芯片一体化生产能力的IDM供应商Fast Charging的全资控股，从此一脚踏入半导体行业。此后就是一系列的公司运作，从重金打造科学、研发、厂房及顾问团队，再到近期的两个合作公告。其间，不乏国内半导体领军人物接连加盟入局，国际半导体产业协会首次颁发的终身成就奖的王宁国博士担任公司非执行董事、中芯国际创始人兼原CEO张汝京担任公司高级顾问。通过系列紧密的排兵布阵，宏光半导体在行业中名声鹊起，意图成为半导体行业的“新黑马”。

进入21世纪来，国内第三代半导体发展形势迅猛，像中芯国际、华虹半导体等提前入局的潜力公司，还有华峰测控、中环股份等深耕半导体多年的老龙头企业。而宏光在去年才大步流星的踏入半导体领域，在未来行业风口不定的情况下，是否为最佳的入场时机，还有待考究。但就目前来看，宏光半导体的布局还是具有一定是前瞻性及成效的。以氮化镓（GaN）以及碳化硅（SiC）技术为代表的领域在第三代半导体中处于刚起步的阶段，但落地速度极快，是不少投资机构重点关注的领域。在国内5G和新能源的需求下，此番布局恰巧为宏光半导体向第三代半导体领域高速发展做了嫁衣。

加码布局GaN产业链 节能减碳乘双碳政策东风

据前瞻产业研究院预测，全球GaN元件市场规模预计2026年将增长到423亿美元，年均复合增长率约为13.5%。虽然GaN还处于起步阶段，但其高功率、轻体积的优势将会逐步显现，全球GaN市场规模与材料渗透率有望持续上升。结合近期宏光半导体与GUH、科通芯城的合作动向，通过打通国内外销售渠道的同时，直接加码在GaN产业链上的布局，能明显看出其打算在GaN领域深度发展的决定。

在宏光半导体的公告中，我们还看到其全资附属公司徐州金沙江半导体与GaN Systems在数据中心首次成功进行公开的GaN行业实地试验，这次重大突破对宏光半导体来说意义非凡。早在2021年11月，宏光半导体就宣布向GaN技术的领导者GaN Systems Inc投资约2百万美元，双方汇集优势成为全球策略合作伙伴。如今看来，这笔战略投资合作可谓是“教科书”般的成功。在当前东数西算的背景下，及新一代信息技术的融合应用共同驱动下，社会对算力需求十分迫切。由此，我国对数据中心的政策规划趋势更加明确为平衡能耗与经济贡献。而此次宏光半导体公告中的重大技术突破，凭借GaN Systems的资源及知识，可在减少数据中心碳足迹的同时，节省最高20%的能源消耗。这场试验也是推进该技术迈向全球使用的重要一环，标志着GaN在IDC电源基础设施中的广泛应用。更为重要的是，此项技术对于国家“碳达峰”与“碳中和”的目标具有重要意义。如今乘上政策东风的宏光半导体，直接促成向第三代半导体的转型发展，或许能为国内GaN产业链上的企业增质提效。

回到资本市场，近一个月来半导体领域众多企业的密集发力资本市场，同光股份、江苏富乐华半导体、深圳得一微等半导体企业接连宣布开启IPO计划。晶圆代工厂商华虹半导体拟回A上市的消息更是引发了业界高度关注。国内半导体行业快速发展的同时也带来了激烈的市场竞争，宏光半导体在此情况下能否闯出一番天地，还需交给时间来验证。不过，对于宏光半导体在GaN领域的提前布局。不少行业人士表示，GaN是第三代半导体中起步晚、发展极快的领域，越早踏入相关领域的企业，越能积攒下足够的发展潜力，未来有望在顺利第三代半导体时代高速发展。

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